martes, 14 de febrero de 2012

Memoria Ram



MEMORIA RAM

La memoria principal o RAM (Random Access Memory, Memoria de Acceso Aleatorio) es donde el computador guarda los datos que está utilizando en el momento presente. El almacenamiento es considerado temporal por que los datos y programas permanecen en ella mientras que la computadora este encendida o no sea reiniciada.
Se le llama RAM por que es posible acceder a cualquier ubicación de ella aleatoria y rápidamente
Físicamente, están constituidas por un conjunto de chips o módulos de chips normalmente conectados a la tarjeta madre. Los chips de memoria son rectángulos negros que suelen ir soldados en grupos a unas plaquitas con "pines" o contactos:



   La diferencia entre la RAM y otros tipos de memoria de almacenamiento, como los disquetes o los discos duros, es que la RAM es mucho más rápida, y que se borra al apagar el computador, no como los Disquetes o discos duros en donde la información permanece grabada.
Tipos de RAM



Hay muchos tipos de memorias DRAM, Fast Page, EDO, SDRAM, etc. Y lo que es peor, varios nombres. Trataremos estos cuatro, que son los principales, aunque mas adelante en este Informe encontrará prácticamente todos los demás tipos.
·         DRAM: Dinamic-RAM, o RAM DINAMICA, ya que es "la original", y por tanto la más lenta.
·         Usada hasta la época del 386, su velocidad típica es de 80 ó 70 nanosegundos (ns), tiempo éste que tarda en vaciarse para poder dar entrada a la siguiente serie de datos. Por ello, es más rápida la de 70 ns que la de 80 ns.
·         Físicamente, aparece en forma de DIMMs o de SIMMs, siendo estos últimos de 30 contactos.

·         Fast Page (FPM): a veces llamada DRAM (o sólo "RAM"), puesto que evoluciona directamente de ella, y se usa desde hace tanto que pocas veces se las diferencia. Algo más rápida, tanto por su estructura (el modo de Página Rápida) como por ser de 70 ó 60 ns.

·         Usada hasta con los primeros Pentium, físicamente aparece como SIMMs de 30 ó 72 contactos (los de 72 en los Pentium y algunos 486).

·         EDO: o EDO-RAM, Extended Data Output-RAM. Evoluciona de la Fast Page; permite empezar a introducir nuevos datos mientras los anteriores están saliendo (haciendo su Output), lo que la hace algo más rápida (un 5%, más o menos).

·         Muy común en los Pentium MMX y AMD K6, con velocidad de 70, 60 ó 50 ns. Se instala sobre todo en SIMMs de 72 contactos, aunque existe en forma de DIMMs de 168.

·         SDRAM: Sincronic-RAM. Funciona de manera sincronizada con la velocidad de la placa (de 50 a 66 MHz), para lo que debe ser rapidísima, de unos 25 a 10 ns. Sólo se presenta en forma de DIMMs de 168 contactos; es usada en los Pentium II de menos de 350 MHz y en los Celeron.

·         PC100: o SDRAM de 100 MHz. Memoria SDRAM capaz de funcionar a esos 100 MHz, que utilizan los AMD K6-2, Pentium II a 350 MHz y computadores más modernos; teóricamente se trata de unas especificaciones mínimas que se deben cumplir para funcionar correctamente a dicha velocidad, aunque no todas las memorias vendidas como "de 100 MHz" las cumplen.

·         PC133: o SDRAM de 133 MHz. La más moderna (y recomendable).



 SIMMs y DIMMs

Se trata de la forma en que se juntan los chips de memoria, del tipo que sean, para conectarse a la placa base del ordenador. Son unas plaquitas alargadas con conectores en un extremo; al conjunto se le llama módulo.
El número de conectores depende del bus de datos del microprocesador, que más que un autobús es la carretera por la que van los datos; el número de carriles de dicha carretera representaría el número de bits de información que puede manejar cada vez.

·         SIMMs: Single In-line Memory Module, con 30 ó 72 contactos. Los de 30 contactos pueden manejar 8 bits cada vez, por lo que en un 386 ó 486, que tiene un bus de datos de 32 bits, necesitamos usarlos de 4 en 4 módulos iguales. Miden unos 8,5 cm (30 c.) ó 10,5 cm (72 c.) y sus zócalos suelen ser de color blanco.

Los SIMMs de 72 contactos, más modernos, manejan 32 bits, por lo que se usan de 1 en 1 en los 486; en los Pentium se haría de 2 en 2 módulos (iguales), porque el bus de datos de los Pentium es el doble de grande (64 bits).

·         DIMMs: más alargados (unos 13 cm), con 168 contactos y en zócalos generalmente negros; llevan dos muescas para facilitar su correcta colocación. Pueden manejar 64 bits de una vez, por lo que pueden usarse de 1 en 1 en los Pentium, K6 y superiores. Existen para voltaje estándar (5 voltios) o reducido (3.3 V).
Y podríamos añadir los módulos SIP, que eran parecidos a los SIMM pero con frágiles patitas soldadas y que no se usan desde hace bastantes años, o cuando toda o parte de la memoria viene soldada en la placa (caso de algunos ordenadores de marca).




ESTRUTURA FISICA DE LA MEMORIA:
VOLATIL Y ALEATORIA:


LA RAM SOLO FUNCIONA RETENIENDO DATOS CUANDO EL PC ESTA ENCENDIDO, AL MOMENTO DE APAGAR, SE PIERDE TODO LO QUE HAYA EN ELLA... 
Originalmente también se les solía denominar memorias aleatorias (de ahí RAM o Random Access Memory, memorias de acceso aleatorio). Aunque este nombre no le es el más apropiado ya que hoy en día todas las memorias en PC, sean volátiles o no como por ejemplo los discos duros, disquetes y demás dispositivos de almacenamiento disponen de un sistema de acceso al dato aleatorio, ya que en caso de disponer de un sistema de acceso secuencial éste tardaría mucho en cargar datos.


COMO SE ALMACENA LA INFORMACION EN UNA MEMORIA RAM:
TIPOS DE MEMORIA RAM: SINCRONA Y ASINCRONAS:
MODULOS DE MEMORIA RAM (DIP, SIPP,SIMM,DIMM,RIMM)

DIP


Módulos son paquetes de plástico o de cerámica que protegen los chips de memoria, facilitar la disipación del calor generado durante el funcionamiento, y hacer más accesiblessus terminales, facilitando el montaje o soldadura. La encapsulación inmersión se utiliza también en otros tipos de componentes.

En los ordenadores antiguos, especialmente XTS, 286s y 386s en el primero, los módulosfueron chapuzón soldada directamente a la placa base, o en algunos casos, equipados de forma individual sockets disponibles en el tablero. Este era un sistema anticuado, que contó con varios inconvenientes, ya que impide las actualizaciones de memoria o el reemplazo de módulos defectuosos. 




SIPP



Es el acrónimo inglés de Single In-line Pin Package (Paquete de Pines en Línea Simple) y consiste en un circuito impreso (también llamado módulo) en el que se montan varios chips de memoria RAM, con una disposición de pines correlativa (de ahí su nombre). Tiene un total de 30 pines a lo largo del borde del circuito, que encajan con las ranuras o bancos de conexión de memoria de la placa base del ordenador, y proporciona 8 bits por módulo. Se usó en sistemas 80286 y fueron reemplazadas por las SIMM, más fáciles de instalar y que proporcionan 8 o 32 bits por módulo (según si son de 30 o de 72 contactos).



SIMM 



Es un formato para módulos de memoria RAM que consisten en placas de circuito impreso sobre las que se montan los integrados de memoria DRAM. Estos módulos se inserta en zócalos sobre la placa base. Los contactos en ambas caras están interconectados, esta es la mayor diferencia respecto de sus sucesores los DIMMs



DIMM 


Son las siglas de «Dual In-line Memory Module» y que podemos traducir como Módulo de Memoria en línea doble. Son módulos de memoria RAMutilizados en ordenadores personales. Se trata de un pequeño circuito impreso que contiene chips de memoria y se conecta directamente en ranuras de la placa base. Los módulos DIMM son reconocibles externamente por poseer sus contactos (o pines) separados en ambos lados, a diferencia de los SIMM que poseen los contactos de modo que los de un lado están unidos con los del otro.


RIMM


Designa a los módulos de memoria RAM que utilizan una tecnología denominada RDRAM, desarrollada por Rambus Inc. a mediados de los años 1990 con el fin de introducir un módulo de memoria con niveles de rendimiento muy superiores a los módulos de memoria SDRAM de 100 MHz y 133 MHz disponibles en aquellos años.


MODULOS DE MEMORIA RAM PARA PORTATILES


SO-DIMM


Consisten en una versión compacta de los módulos DIMM convencionales. Debido a su tamaño tan compacto, estos módulos de memoria suelen emplearse en computadores portátiles, PDAs y notebooks, aunque han comenzado a sustituir a los SIMM/DIMM en impresoras de gama alta y tamaño reducido y en equipos con placa base miniatura Mini-ITX).

MICRODIMM

Comprende una serie de memoria dinámica de acceso aleatoriode circuitos integrados . Estos módulos están montados sobre una placa de circuito impreso y diseñado para su uso en ordenadores personales , las estaciones de trabajo y servidores . DIMM comenzaron a reemplazar a los SIMMs(solo en línea de módulos de memoria) como el tipo predominante de módulo de memoria que Intel P5 basado en Pentium los procesadores empezaron a ganar cuota de mercado.





SORIMM


• Frecuencia de operación de 600 / 700 / 800 Mhz.
• Voltaje de operación de 2.5V.
• Cada RDRAM tiene 32 bancos, para un total de 512, 384, 256, 192, 128 ó 128 bancos en cada módulo de 256MB, 192MB, 128MB, 96MB ó 64MB, respectivamente.
• Condiciones de baja energía y regeneración automática de consumo bajo.
• Soporta al SPD (Detección de Presencia en Serie).




MEMORIAS ASINCRONAS


DRAM

 (Dynamic Random Access Memory) es un tipo de memoria dinámica de acceso aleatorio que se usa principalmente en los módulos de memoria RAM y en otros dispositivos, como memoria principal del sistema. Se denomina dinámica, ya que para mantener almacenado un dato, se requiere revisar el mismo y recargarlo, cada cierto período, en un ciclo de refresco.





FPM-RAM 

(Fast Page Mode RAM): Inspirado en técnicas como el "Burst Mode" usado en procesadores como el Intel 486,3 se implantó un modo direccionamiento en el que el controlador de memoria envía una sola dirección y recibe a cambio esa y varias consecutivas sin necesidad de generar todas las direcciones. 


EDO-RAM

(Extended Data Output RAM): Lanzada en 1995 y con tiempos de accesos de 40 o 30 ns suponía una mejora sobre su antecesora la FPM. La EDO, también es capaz de enviar direcciones contiguas pero direcciona la columna que va utilizar mientras que se lee la información de la columna anterior, dando como resultado una eliminación de estados de espera, manteniendo activo el búffer de salida hasta que comienza el próximo ciclo de lectura.


BEDO-RAM


(Burst Extended Data Output RAM): Fue la evolución de la EDO RAM y competidora de la SDRAM, fue presentada en 1997. Era un tipo de memoria que usaba generadores internos de direcciones y accedía a más de una posición de memoria en cada ciclo de reloj, de manera que lograba un desempeño un 50% mejor que la EDO. Nunca salió al mercado, dado que Intel y otros fabricantes se decidieron por esquemas de memoria sincrónicos que si bien tenían mucho del direccionamiento MOSTEK, agregan funcionalidades distintas como señales de reloj.


MEMORIAS SINCRONAS

 

SDR SDRAM

 Memoria síncrona, con tiempos de acceso de entre 25 y 10 ns y que se presentan en módulos DIMM de 168 contactos. Fue utilizada en losPentium II y en los Pentium III , así como en los AMD K6, AMD Athlon K7 y Duron. Está muy extendida la creencia de que se llama SDRAM a secas, y que la denominación SDR SDRAM es para diferenciarla de la memoria DDR, pero no es así, simplemente se extendió muy rápido la denominación incorrecta.


PC66

Se refiere al interior extraíble equipo de memoria estándar definido por el JEDEC . PC66 es DRAM síncrona que funciona a una frecuencia de reloj de 66.66 MHz, en un bus de 64 bits, a una tensión de 3,3 V. PC66 está disponible en el pin 168 DIMM de 144 pines y el SO-DIMM de factores de forma. El ancho de banda teórico es de 533 MB / s.


PC100

 Es un estándar para interna desmontable ordenador memoria de acceso aleatorio , que se define por la JEDEC . PC100 se refiere a la DRAM síncrona que funciona a una frecuencia de reloj de 100 MHz, en un bus de 64 bits de ancho, a una tensión de 3,3 V. PC100 está disponible en 168-pinDIMM y 144 pines SO-DIMM de factores de forma . PC100 es compatible con PC66 y fue reemplazado por el PC133 estándar.


PC133
Es un estándar de la memoria del ordenador definido por la JEDEC . PC133 se refiere a la DRAM síncrona que funciona a una frecuencia de reloj de 133 MHz, en un bus de 64 bits de ancho, a una tensión de 3,3 V. PC133 está disponible en el pin 168 DIMM de 144 pines y el SO-DIMM de factores de forma. PC133 fue el más rápido y el final de SDRAM estándar que haya sido aprobado por el JEDEC, y ofrece un ancho de banda de 1066 MB por segundo ([133,33 MHz * 64/8] = 1066 MB / s). PC133 es compatible con PC100 y PC66 .


DDR SDRAM 
Son módulos de memoria RAM compuestos por memorias sincrónicas (SDRAM), disponibles en encapsulado DIMM, que permite la transferencia de datos por dos canales distintos simultáneamente en un mismo ciclo de reloj. Los módulos DDR soportan una capacidad máxima de 1 GiB (1 073 741 824 bytes).

RDRAM

 Es un tipo de memoria síncrona, conocida como Rambus DRAM. Éste es un tipo de memoria de siguiente generación a la DRAM en la que se ha rediseñado la DRAM desde la base pensando en cómo se debería integrar en un sistema.


XDR DRAM

(eXtreme Data Rate Dynamic Random Access Memory) es una implementación de alto desempeño de las DRAM, el sucesor de las memorias Rambus RDRAM y un competidor oficial de las tecnologías DDR2 SDRAM y GDDR4. XDR fue diseñado para ser efectivo en sistemas pequeños y de alto desempeño que necesiten memorias de alto desempeño así como en GPUs de alto rendimiento.

XDR2 DRAM 
Está diseñado para ser utilizado en la gama alta de tarjetas gráficas y equipos de red. Como compañía de semiconductores , Rambus sólo produce un diseño, sino que debe llegar a acuerdos con los fabricantes de memoria para producir XDR2 chips DRAM, y ha habido una notable falta de interés en hacerlo.

DRDRAM

El subsistema consta de la memoria de acceso aleatorio ( RAM ), el controlador de memoria RAM, y el autobús (ruta) que conecta la RAM para el microprocesador y los dispositivos en el equipo que se use. Direct Rambus (DRDRAM), una tecnología desarrollada y autorizada por la Corporación de Rambus, es la última versión y se espera que ayude a acelerar el crecimiento de las interfaces visualmente intensivas, tales como 3-D interactivo juegos y servicios multimedia.

SLDRAM

 Funcionará a velocidades de 400MHz, alcanzando en modo doble 800MHz, con transferencias de 800MB/s, llegando a alvcanzar 1,6GHz, 3,2GHz en modo doble, y hasta 4GB/s de transferencia. Se cree que puede ser la memoria a utilizar en los grandes servidores por la alta transferencia de datos.

SRAM

 Memoria estática de acceso aleatorio (Static Random Access Memory) es la alternativa a la DRAM. No necesita tanta electricidad para su refresco y reemplazo de las direcciones y funciona más rápido porque no está reemplazando constantemente las instrucciones y los valores almacenados en ella. La desventaja es su altísimo coste comparado con la DRAM. Puede almacenar y recuperar los datos rápidamente y se conoce normalmente como MEMORIA CACHE.


ASYNC SRAM

Es un tipo de memoria basada en semiconductores que a diferencia de la memoria DRAM, es capaz de mantener los datos, mientras esté alimentada, sin necesidad de circuito de refresco. Sin embargo, sí son memorias volátiles, es decir que pierden la información si se les interrumpe la alimentación eléctrica. Estas memorias son de Acceso Aleatorio, lo que significa que las posiciones en la memoria pueden ser escritas o leídas en cualquier orden, independientemente de cual fuera la última posición de memoria accedida. 

SYNC SRAM
Es también un tipo de memoria caché. La RAM sincronizada a ráfagas ofrece datos de modo sincronizado con lo que no hay retraso en los ciclos de lectura a ráfagas, con tiempo 2-1-1-1 ciclos de reloj. El problema está en velocidades de reloj superiores a los 66 mhz, puesto que los ciclos de reloj pasan a ser de 3-2-2-2 lo que es significativamente más lento que la memoria PB SRAM la cual tiene un tiempo de acceso de 3-1-1-1 ciclos. Estos módulos están en desuso porque su precio es realmente elevado y sus prestaciones frente a la PB SRAM no son buenas por lo que se fabrican en pocas cantidades.

EDRAM

Significa " embedded DRAM ", un condensador basado en la memoria de acceso aleatorio dinámico integrado en la misma matriz como un ASIC oel procesador . El costo por bit es superior a la de los chips DRAM independientes, pero en muchas aplicaciones, las ventajas de rendimiento de la colocación de la eDRAM en el mismo chip que el procesador supera la desventaja de costes en comparación con una memoria externa.

ESDRAM

Este tipo de memoria es apoyado por ALPHA, que piensa utilizarla en sus futuros sistemas. Funciona a 133MHz y alcanza transferencias de hasta 1,6 GB/s, puediendo llegar a alcanzar en modo doble, con una velocidad de 150MHz hast 3,2 GB/s. El problema es el mismo que el de las dos anteriores, la falta de apoyo, y en este caso agravado por el apoyo minoritario de ALPHA, VLSI, IBM y DIGITAL.


VRAM

Es un tipo de memoria RAM que utiliza el controlador gráfico para poder manejar toda la información visual que le manda la CPU del sistema. La principal característica de esta clase de memoria es que es accesible de forma simultánea por dos dispositivos. De esta manera, es posible que la CPU grabe información en ella, mientras se leen los datos que serán visualizados en el monitor en cada momento. Por esta razón también se clasifica como Dual-Ported.

SGRAM

Es un organismo especializado de SDRAM que es un reloj sincronizado con memoria de acceso aleatorio adecuado para los adaptadores de gráficos de vídeo.


WRAM

Es un tipo de VRAM equipada con líneas separadas de lectura y escritura, que ofrece sin embargo tiempos rápidos de acceso y es barata de producir. Por ejemplo, las tarjetas gráficas Matrox MGA Millennium y la Number Nine Revólution 3D "Ticket to Ride" usan WRAM.















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